简介

王建涛，男，1964年生，汉族，工学博士。现任中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。1983年7月参加工作。曾在河南省洛阳钢厂工作。1990年到日本留学，先后在日本东北大学取得材料物理学士、硕士、博士学位。1998年4月至2002年5月任日本学术振兴会特别研究员。2002年6月回国后任中科院物理所副研究员、科技处副处长、处长、科学工程办公室主任等职。主要从事半导体表面界面物性，金属超晶格磁性，碳与苯系化学物质理化性质等第一性原理计算研究。获2012年度和2013年度国家环境保护部科学技术奖二等奖各1项。金属纳米团簇在硅表面上的分解扩散机制被《科技导报》选为2006年中国基础科学研究领域13项重大进展之一。主要研究方向：半导体表面物性，金属超晶格磁性，纳米团簇物性等低维复杂系统第一性原理计算研究。

近期主要研究课题

半导体表面物性（Si,Ge,SiC,ZnO），金属合金及纳米团簇磁性，氢金属合金与化合物等第一性原理计算研究。

研究生培养情况

在读硕士生1人；在读博士生3人。

主要研究成果以及代表论文

长期致力于表面/界面等低维复杂系统第一性原理物性计算研究。系统地研究了3d过渡金属与Cu、Ag、Au等构成多层膜的磁性以及III族、V族元素在半导体硅表面形成纳米结构的动力学机制。在 Physical Review Letters, Applied Physics Letters, Physical Review B， Nano Letters 等学术期刊发表论文40余篇