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翁红明

研究员
中科院物理所凝聚态理论与计算实验室

Email: hmweng@iphy.ac.cn

Tel: 010-82649941

 

 

 

简介

 

翁红明,男,1977年生于江苏。
2000年南京大学物理学系本科毕业,获学士学位;
2005年获南京大学物理学系理论物理博士学位;
2005年10月至2006年12月在日本东北大学金属材料研究所(IMR)做博士后;
2007年1月至3月在日本产业技术综合研究所(AIST)任特聘研究员;
2007年4月至2010年6月在日本北陆先端大(JAIST)任助理教授;
2010.07至2016.08在中科院物理所任副研究员;
2016.09至今任中科院物理所研究员,博士生导师。

 

所获奖励

 

1. 2015年获“科技盛典——2015年度十大科技创新团队奖”
2. 2015年获“物理所科技新人奖”
3. 2014年获“国家自然科学基金委优秀青年基金”
4. 2008年获“日本学术振兴会(JSPS)奖学金”

 

研究方向

 

拓扑量子态及其材料计算研究,磁光效应,非线性光学效应等第一性原理计算

 

近期主要研究课题及展望

1. 拓扑半金属材料计算与预言;
2. 二维拓扑绝缘体材料的预言;
3. 量子反常霍尔效应材料的设计与预言。

 

主要研究成果以及代表论文

 

主要研究成果包括:
1)  发展并开发了新型计算方法和软件包
负责研发了基于Wannier函数的拓扑物性计算方法和Gutzwiller计算方法,大幅提高了计算效率,为后续的研究工作奠定了基础。
2) 拓扑半金属研究
与合作者一起,将能带拓扑理论从绝缘体推广到金属,成功预言了多种拓扑半金属材料,使得相关实验研究成为可能。
a, 狄拉克半金属Na3Bi和Cd3As2的理论预言和实验发现;
b, 磁性外尔半金属HgCr2Se4的理论预言和非磁性外尔半金属TaAs家族的理论预言和实验发现;
c, 拓扑节点线半金属的理论预言;
d, 无质量三重简并点半金属的理论预言。
3) 新型拓扑绝缘体研究
利用第一性原理计算和电子结构计算数据库,依据能带拓扑理论,成功预言了多个新型拓扑绝缘体,为拓扑绝缘体的实验研究和应用开发提供了关键的必不可少的材料基础。
a, 理论预言并跟实验合作发现了大能隙二维拓扑绝缘体ZrTe5和HfTe5;
b, 把拓扑绝缘体研究扩展到了强关联电子系统领域,预言了首个强关联“拓扑晶体绝缘体”YbB12;
c, 理论预言反LiFeAs结构家族材料可能是二维拓扑绝缘体。

 

代表性论文及专利:
I、狄拉克半金属
[1]Z. J. Wang et al., Phys. Rev. B 85, 195320 (2012)
[2]Z. J. Wang et al., Phys. Rev. B 88, 125427 (2013)
[3]Z. K. Liu et al., Science 343, 6173 (2014)
[4]Z. K. Liu et al., Nature Materials 13, 677 (2014)
II、外尔半金属
[1] Gang Xu et al., Phys. Rev. Lett. 107, 186806 (2011)
[2] Hongming Weng et al., Phys. Rev. X 5, 011029 (2015) (科研进展报导1)(科研进展报导2)(科研进展报导3)
[3] B. Q. Lv et al., Phys. Rev. X 5, 031013 (2015) (科研进展报导1)(科研进展报导2)
[4] B. Q. Lv et al., Nature Physics 11, 724 (2015) (科研进展报导1)(科研进展报导2)
[5] X. C. Huang et al., Phys. Rev. X 5, 031023 (2015) (科研进展报导1)(科研进展报导2)
[6] B. Q. Lv et al. Phys. Rev. Lett. 115, 217601 (2015) (科研进展报导)
[7] T. Guan et al. Phys. Rev. Lett. 115, 087002 (2015)
[8] N. Xu et al. Nature Communications 7, 11006 (2016)
[9] 翁红明,戴希,方忠,物理 44, 253 (2015)
[10]翁红明,物理 44, 768 (2015)
III、拓扑节点线半金属
[1]Hongming Weng* et al. Phys. Rev. B 92,045108(2015) (科研进展报导)
[2]R. Yu et al., Phys. Rev. Lett. 115,036807(2015)(科研进展报导)
[3]J. T. Wang et al., Phys. Rev. Lett. 116, 195501 (2016)(科研进展报导)
IV、新型拓扑绝缘体
[1]H. Weng* et al., Phys. Rev. X 4, 011002 (2014) (科研进展报导)
[2]R Wu et al., Phys. Rev. X 6, 021017 (2016) (科研进展报导)

 

发表文章列表及引用情况:
http://www.researcherid.com/rid/F-2948-2011